Samsung Galaxy A70s будет представлен в конце сентября
Гаджет сможет похвастаться камерой на 64 Мп. Фото: yandex.ua В Индии покажут новый смартфон от Samsung.
Galaxy A70s выйдет в двух версиях, с дизайном, как у предыдущих моделей серии А: Galaxy A30s и Galaxy A50s, передает сайт gagadget.com
Главной особенностью устройства будет основная камера с тремя модулями и главным сенсором на 64 Мп. Также инсайдерские источники приписывают новинке процессор Snapdragon 675, 7 ГБ оперативной памяти, 6.7-дюймовый дисплей с OLED-матрицей и сканером, расположенным под экраном, а также энергоёмкий аккумулятор на 5000 мАч.
Стоимость смартфона будет в районе 450 долларов (около 30 тысяч рублей).
Как сообщали «Кубанские новости», компания Huawei представила новый смартфон Mate 30 Pro с четырьмя камерами, но без сервисов Google.
Xiaomi опубликовала рекламное изображение с новым смартфоном Mi 9 Pro 5G .
Fairphone получил максимальный балл за ремонтоспособность . В отличие от большинства современных смартфонов, его легко разобрать, благодаря модульной структуре.
Стали известны характеристики Samsung Galaxy A20 . Это случилось благодаря утечке от индийского инсайдера.
Поделиться:
Последние новости
Глава Сочи Андрей Прошунин обсудил с жителями Адлерского района вопросы развития социальной инфраструктуры
Встречу с жителями провели в поселке Красная Поляна. В ней приняли участие глава Адлерского района, руководители структурных подразделений мэрии, депутаты Городского Собрания Сочи, представители полиции, прокуратуры и МЧС.
Сочи возглавил рейтинг городов страны по качеству жизни
Федеральный рейтинг составлен экспертами Финансового университета при Правительстве Российской Федерации по итогам первого квартала 2025 года.
В Новороссийске провели субботу с пользой — прошли «10 тысяч шагов к жизни»!
05 апреля, в преддверии Дня здоровья, в Новороссийске прошла акция «10 тысяч шагов к жизни».
В Новороссийске продолжается ликвидация возгорания на мусорном полигоне
Как сообщил 05 апреля Оперштаб Краснодарского края, по состоянию на 12:00 площадь подслойного тления составляет 400 кв.